|Ⓢєччαh|
Guru
- Katılım
- 12 Mart 2011
- Mesajlar
- 35,200
- Reaksiyon puanı
- 10,315
- Puanları
- 293
[h=1]Elektronik teknolojisinde devrim[/h]
[h=2]Nano ölçekli 3 boyutlu transistör üretildi[/h]
Fransız bilim adamları, kullanımda olan mikro elektronik cihazlarla uyumlu, nano ölçekli 3 boyutlu yapıda bir transistör üretmeyi başardı.
Mikro işlemciler ve hafıza birimlerinde kullanılan iki boyutlu yapıya sahip diğer nano ölçekli (metrenin milyarda biri) transistörlerden daha küçük olan 3 boyutlu transistörler, mikro elektronik cihazların gücünü büyük oranda artırma yeteneğine sahip.
İki boyutlu transistörlerin kapladığı bir alana çok daha fazla sayıda yerleştirilebilecek olması sayesinde bu transistörler, mikro işlemciler ve bellek birimlerinin iş görme kapasitesini çok büyük ölçüde artırabilecek.
Fransa'nın Toulouse kentindeki "Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes" (LAAS-CNRS) adlı analiz ve sistem mimarisi laboratuvarı, Lille Üniversitesi'ne bağlı "Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie" (IEMN), Cambresis bölgesindeki Valensiya Üniversitesi ve Isen bölgesindeki Hainaut Üniversitesi'nden bir bilim ekibinin ortak çabasıyla üretilen 3 boyutlu transistör, Nanoscale adlı bilimsel dergide tanıtıldı.
Mikro elektronik cihazların yapı taşlarını oluşturan transistörler iki bağlantı ucunu birleştiren, "kanal" adı verilen bir yarı geçirgen parçadan oluşuyor. İki bağlantı ucundan gelen akım "kapı" adı verilen üçüncü bir bağlantı ucuyla kontrol ediliyor. Tıpkı bir açma kapama düğmesi gibi çalışan "kapı" transistörün açık ya da kapalı durumda olmasını belirliyor.
Son 50 yıldan beri transistörlerin boyutlarında sağlanan küçülmeler güçleri giderek artan mikro elektronik cihazların geliştirilmesine imkan sağladı. Ancak transistörlerin bugünkü 2 boyutlu yapılarının, kapının daha da küçülmesini engellemesi nedeniyle mikro cihazlar daha da küçültülemiyordu.
3 boyutlu yapı sayesinde küçülen kapılar, transistörlerin daha da küçültülmelerinin önündeki engeli kaldırdı.
LAAS ve IEMN'deki ekibin ürettiği 3 boyutlu transistördeki, 14 nanometre uzunluğundaki kromdan, dikey bir nanotel dizilimden oluşan kapının kontrol kapasitesinin, günümüz mikro elektronik cihazlarının gereklerini yerine getirecek ölçüde yüksek olduğuna işaret etti.
Elektronik çiplerde bulunan şimdiki transistörlerde kullanılan kapılar ise 28 nanometre uzunluğunda bulunuyor.
Yeni transistör için patent alan araştırmacılar, kapının boyutunun 10 nanometreye kadar düşürülebileceğine inandıklarını belirtti.
kaynak
[h=2]Nano ölçekli 3 boyutlu transistör üretildi[/h]
Fransız bilim adamları, kullanımda olan mikro elektronik cihazlarla uyumlu, nano ölçekli 3 boyutlu yapıda bir transistör üretmeyi başardı.
Mikro işlemciler ve hafıza birimlerinde kullanılan iki boyutlu yapıya sahip diğer nano ölçekli (metrenin milyarda biri) transistörlerden daha küçük olan 3 boyutlu transistörler, mikro elektronik cihazların gücünü büyük oranda artırma yeteneğine sahip.
İki boyutlu transistörlerin kapladığı bir alana çok daha fazla sayıda yerleştirilebilecek olması sayesinde bu transistörler, mikro işlemciler ve bellek birimlerinin iş görme kapasitesini çok büyük ölçüde artırabilecek.
Fransa'nın Toulouse kentindeki "Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes" (LAAS-CNRS) adlı analiz ve sistem mimarisi laboratuvarı, Lille Üniversitesi'ne bağlı "Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie" (IEMN), Cambresis bölgesindeki Valensiya Üniversitesi ve Isen bölgesindeki Hainaut Üniversitesi'nden bir bilim ekibinin ortak çabasıyla üretilen 3 boyutlu transistör, Nanoscale adlı bilimsel dergide tanıtıldı.
Mikro elektronik cihazların yapı taşlarını oluşturan transistörler iki bağlantı ucunu birleştiren, "kanal" adı verilen bir yarı geçirgen parçadan oluşuyor. İki bağlantı ucundan gelen akım "kapı" adı verilen üçüncü bir bağlantı ucuyla kontrol ediliyor. Tıpkı bir açma kapama düğmesi gibi çalışan "kapı" transistörün açık ya da kapalı durumda olmasını belirliyor.
Son 50 yıldan beri transistörlerin boyutlarında sağlanan küçülmeler güçleri giderek artan mikro elektronik cihazların geliştirilmesine imkan sağladı. Ancak transistörlerin bugünkü 2 boyutlu yapılarının, kapının daha da küçülmesini engellemesi nedeniyle mikro cihazlar daha da küçültülemiyordu.
3 boyutlu yapı sayesinde küçülen kapılar, transistörlerin daha da küçültülmelerinin önündeki engeli kaldırdı.
LAAS ve IEMN'deki ekibin ürettiği 3 boyutlu transistördeki, 14 nanometre uzunluğundaki kromdan, dikey bir nanotel dizilimden oluşan kapının kontrol kapasitesinin, günümüz mikro elektronik cihazlarının gereklerini yerine getirecek ölçüde yüksek olduğuna işaret etti.
Elektronik çiplerde bulunan şimdiki transistörlerde kullanılan kapılar ise 28 nanometre uzunluğunda bulunuyor.
Yeni transistör için patent alan araştırmacılar, kapının boyutunun 10 nanometreye kadar düşürülebileceğine inandıklarını belirtti.
kaynak
